F&E Leistungshalbleiter-Chip-Ingenieur 80 – 100 % (m/w/d)

Die Gelegenheit

In unseren F&E BiMOS-Halbleiterchip-Gruppen bei Hitachi Energy Semiconductors entwickeln wir fehlerfreie High-Tech-Halbleitergeräte über verschiedene Spannungsbereiche hinweg. Unsere Qualitätsprodukte werden an fortschrittlichen internen und externen Produktionsstandorten hergestellt und dann weltweit an eine Vielzahl von Kunden für unterschiedliche Anwendungen geliefert, z. B. Industrie, erneuerbare Energien, Traktion und E-Mobilität.

Wir suchen derzeit einen hochmotivierten F&E-Halbleiterchip-Spezialisten, der die Zukunft der Halbleiterchip-Technologie und Produktentwicklung mitgestaltet, indem er die nächste Generation von Niedrig- und Hochspannungs-Dioden, IGBTs und MOSFET-Geräten formt.

Verknüpfen Sie einen starken technischen Hintergrund im Bereich Leistungshalbleiter mit soliden Projektleitungsfähigkeiten? Sind Sie leidenschaftlich daran interessiert, in einem High-Tech-Unternehmen die Zukunft zu gestalten? Dann bewerben Sie sich noch heute! Unser Teamgeist und unsere Arbeitspraktiken helfen Ihnen, persönliche und geschäftliche Leistungen zu erreichen und schaffen ein Umfeld, in dem alle Mitarbeiter ihre Fähigkeiten entwickeln und wachsen können.

Wie Sie Wirkung erzielen

• Entwicklung von Leistungshalbleiterchips der nächsten Generation vom Konzept bis zum Endprodukt, Optimierung hinsichtlich Leistung, Herstellbarkeit und Kosten

• Leitung von Produktentwicklungsprojekten oder Arbeitspaketen unter Sicherstellung der Ausrichtung an strategischen Zielen

• Zusammenarbeit mit Prozessspezialisten der Einheit von frühen Designphasen an, um robuste, skalierbare Prozessanforderungen zu definieren, die Ertragsziele und Hochlaufpläne unterstützen

• Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit Chip-Designern, F&E-Modulteams, Produktmanagern, Prozessingenieuren, Lieferanten sowie Qualitäts- und Zuverlässigkeitsexperten, um nahtlose Technologie- und Produktfreigaben sicherzustellen

• Ausgeprägter Antrieb für kontinuierliches Lernen und systemisches Verständnis sowie Weitergabe dieses Wissens zur Stärkung des gesamten Projektteams 
   

Ihr Hintergrund

• Master oder Promotion in Physik, Elektrotechnik oder einem ähnlichen Bereich, idealerweise mit Spezialisierung im Bereich Leistungshalbleitergerätetechnologie

• Berufserfahrung in Design/Produkt-/Technologieentwicklung (IGBT, MOSFET, Diode), idealerweise im Bereich Leistungshalbleiter

• Kenntnisse in der Halbleiterprozessintegration und Erfahrung im Umgang mit Maskenlayout-Tools sind von Vorteil

• Fundierte Kenntnisse der Halbleitergerätphysik, des Designs, der Funktionalität, der Eigenschaften und der Prozesse

• Erfahrung mit relevanten Simulationsmethoden und -tools wie TCAD

• Selbstmotivierte Person, die Leistung, Qualität und nachhaltige Beziehungen in unserem Team und mit verschiedenen Stakeholdern anstrebt

• Englischkenntnisse mit starken Kommunikations- und Präsentationsfähigkeiten