F&E Leistungshalbleiter-Chip-Ingenieur 80 – 100 % (m/w/d)

Die Gelegenheit

In unseren F&E BiMOS-Halbleiterchip-Gruppen bei Hitachi Energy Semiconductors entwickeln wir fehlerfreie High-Tech-Halbleitergeräte über verschiedene Spannungsbereiche hinweg. Unsere Qualitätsprodukte werden in fortschrittlichen internen und externen Produktionsstätten hergestellt und dann weltweit an eine Vielzahl von Kunden für unterschiedliche Anwendungen geliefert, z. B. Industrie, erneuerbare Energien, Traktion und E-Mobilität.

Wir suchen derzeit einen hochmotivierten F&E-Halbleiterchip-Spezialisten, der die Zukunft der Halbleiterchip-Technologie und Produktentwicklung vorantreibt, indem er die nächste Generation von Niedrig- und Hochspannungs-Dioden, IGBTs und MOSFET-Geräten gestaltet.

Verbindest du einen starken technischen Hintergrund im Bereich Leistungshalbleiter mit soliden Projektleitungsfähigkeiten? Bist du leidenschaftlich daran interessiert, in einem High-Tech-Unternehmen die Zukunft mitzugestalten? Dann bewirb dich noch heute! Unser Teamgeist und unsere Arbeitspraktiken helfen dir, persönliche und geschäftliche Leistungen zu erreichen und schaffen ein Umfeld, in dem alle Mitarbeitenden ihre Fähigkeiten entwickeln und wachsen können.

So wirst du Wirkung zeigen

• Entwicklung von Leistungshalbleiterchips der nächsten Generation vom Konzept bis zum Endprodukt, Optimierung hinsichtlich Leistung, Herstellbarkeit und Kosten

• Leitung von Produktentwicklungsprojekten oder Arbeitspaketen unter Sicherstellung der Ausrichtung an strategischen Zielen

• Zusammenarbeit mit Prozessspezialisten der Einheit von frühen Designphasen an, um robuste, skalierbare Prozessanforderungen zu definieren, die Ertragsziele und Hochlaufpläne unterstützen

• Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit Chip-Designern, F&E-Modulteams, Produktmanagern, Prozessingenieuren, Lieferanten sowie Qualitäts- und Zuverlässigkeitsexperten, um nahtlose Technologie- und Produktfreigaben sicherzustellen

• Ausgeprägter Antrieb für kontinuierliches Lernen und systemisches Verständnis sowie Weitergabe dieses Wissens zur Förderung des gesamten Projektteams 
   

Dein Hintergrund

• Master oder Promotion in Physik, Elektrotechnik oder einem ähnlichen Fachgebiet, idealerweise mit Spezialisierung im Bereich Leistungshalbleitergerätetechnologie

• Berufserfahrung in Design/Produkt-/Technologieentwicklung (IGBT, MOSFET, Diode), idealerweise im Bereich Leistungshalbleiter

• Kenntnisse in der Halbleiterprozessintegration und Erfahrung im Umgang mit Maskenlayout-Tools sind von Vorteil

• Fundierte Kenntnisse der Halbleitergerätphysik, des Designs, der Funktionalität, der Eigenschaften und der Prozesse

• Erfahrung mit relevanten Simulationsmethoden und -tools wie TCAD

• Selbstmotivierte Person, die Leistung, Qualität und nachhaltige Beziehungen in unserem Team und mit verschiedenen Stakeholdern anstrebt

• Englischkenntnisse mit starken Kommunikations- und Präsentationsfähigkeiten