Elektronikingenieur Siliziumsensoren F&E (EP-ATL-TRK-2026-117-GRAP)

24 Juni 2026
Geneva

Über den Job

Firmenbeschreibung

Stellenbeschreibung

Dichte Tracking-Umgebungen in Experimenten am High-Luminosity LHC des CERN und zukünftigen FCC-Experimenten erfordern neben den Positionsmessungen durch Pixel-Detektoren eine verstärkte Nutzung von Zeitinformationen. Dies fügt der verfügbaren Information eine zusätzliche Dimension hinzu und ist entscheidend zur Minderung von Pile-up-Effekten bei hohen Luminositäten. Das CASSIA-Projekt (CMOS Active SenSor mit interner Verstärkung) zielt darauf ab, monolithische aktive Pixel-Sensoren (MAPS) mit internem Signalgewinn und geringem Rauschen in einem weit verbreiteten CMOS-Bildgebungsprozess zu entwickeln, die für ein breites Anwendungsspektrum geeignet sind.

Ihre Aufgaben

Montage und Test von CASSIA-Sensorprototypen auf Leiterplatten.
Unterstützung und Verbesserung von Signal-Messungen in Laboruntersuchungen, Bestrahlungen und Teststrahlen.
Analyse von CASSIA2 zur optimalen Signalerfassung und Zeitauflösung.
Untersuchung der Strahlenhärte und der Veränderung des Gewinns in Abhängigkeit von der Bestrahlung.
Test von CASSIA2 On-Chip-Verstärkerschaltungen im Vergleich zur Schaltungssimulation, Charakterisierung der Front-End (FE)-Schaltungsleistung hinsichtlich Zeitauflösung und Signal-Rausch-Verhältnis (SNR).
Verbesserung des Designs der CASSIA2-Schaltungen für optimale Zeitauflösung im LGAD- und SPAD-Modus.
Entwicklung von Konzepten zur Integration von CASSIA-Pixel-Designs in asynchrone Auslese-Pixel-Schaltungen in Matrizen (CASSIA3-Studien).
Schaltungsdesign und Implementierung, Designverifikation, Pre-/Post-Layout-Simulationen für optimierte Pixel-Designs und FE-Schaltungen für große Matrizen.
Enge Zusammenarbeit mit Ingenieuren, Physikern und Technikern in einem multidisziplinären Team.

Ihr Profil

Erfahrung in der Montage, Prüfung und Charakterisierung von Siliziumdetektormodulen oder ähnlichen Systemen.
Praktische Erfahrung mit Laborinstrumenten wie Sondenstationen, Laser-Testaufbauten, Strahltestaufbauten.
Fähigkeit, Leiterplatten für ASICs/Sensoren als Teil des Testsystems zu entwerfen.
Fähigkeit, elektronische Messungen zur Charakterisierung analoger und digitaler On-Chip-Schaltungen durchzuführen.
Erfahrung in der Automatisierung von Laborverfahren und Datenerfassung.
Erfahrung mit Werkzeugen zur Gestaltung, Integration und Verifikation von ASICs/CMOS-Sensoren.
Vertrautheit mit Datenanalyse, Schaltungssimulation und Elektronik-Debugging.
Erfahrung in der Arbeit in großen, internationalen Forschungskollaborationen und Beitrag zu gemeinsamer Infrastruktur oder geteilten Einrichtungen.
Nachgewiesene Fähigkeit, unter engen Zeitplänen zu planen, Prioritäten zu setzen und Ergebnisse zu liefern.

Fähigkeiten

Kenntnisse monolithischer CMOS-Sensoren, MAPS, Silizium-Pixeldetektoren für Hochenergiephysik-Experimente.
Erfahrung im Testen von Siliziumsensoren und der erforderlichen Laborausrüstung.
Erfahrung in Schaltungssimulation und Charakterisierung.
Berufserfahrung im ASIC- und/oder CMOS-Sensordesign sowie im Einsatz von Industrietools für Design, Implementierung und Verifikation.
Organisierte, genaue und selbstständige Arbeitsweise.
Fähigkeit, effektiv in multidisziplinären Teams und internationalen Kollaborationen zu arbeiten.
Gesprochene und geschriebene Englischkenntnisse mit der Bereitschaft, Französisch zu lernen.

Zulassungskriterien:

Sie sind Staatsangehöriger eines CERN-Mitglieds- oder assoziierten Mitgliedsstaates .
Sie verfügen über einen beruflichen Hintergrund in Elektronik oder Physik (oder einem verwandten Bereich) und haben entweder:
- einen Masterabschluss mit 2 bis 6 Jahren Berufserfahrung nach dem Abschluss;
- oder eine Promotion mit nicht mehr als 3 Jahren Berufserfahrung nach dem Abschluss.
Sie hatten zuvor keinen CERN-Stipendien- oder Graduierungsvertrag.

Qualifikationen

Zusätzliche Informationen

Bewerbungsschluss: 15.07.2026 um 23:59 CEST.

Vertragsdauer: 24 Monate, mit möglicher Verlängerung bis maximal 36 Monate.

Arbeitszeit: 40 Stunden pro Woche

Arbeitsflexibilität: Vollständig vor Ort

Geplanter Beginn: 01. September 2026

Diese Position beinhaltet:

Arbeit in Strahlenbereichen.
Arbeit während der Nacht, an Sonntagen und offiziellen Feiertagen, wenn dies durch die Bedürfnisse der Organisation erforderlich ist.

Stellenreferenz: EP-ATL-TRK-2026-117-GRAP

Arbeitsfeld: Experimentelle Physik

Benchmark-Stelle: 200050 - Elektronikingenieur

Globale Vorteile

Ein monatliches Stipendium zwischen 6372-7004 Schweizer Franken pro Monat (steuerfrei), abhängig von Ihrem Abschluss.
30 Tage bezahlter Urlaub pro Jahr plus 2 Wochen Jahresabschluss.
Absicherung durch das umfassende Krankenversicherungssystem des CERN (für Sie, Ihren Ehepartner und Ihre Kinder) sowie Mitgliedschaft im CERN-Pensionsfonds.
Familien-, Kinder- und Säuglingszulagen, abhängig von Ihren individuellen Umständen.
Ein Umzugspaket (Installationszuschuss und Reisekosten), abhängig von Ihren individuellen Umständen.
Möglichkeit zur Verlängerung Ihres Vertrags auf bis zu 36 Monate.
On-the-Job- und formale Schulungen einschließlich Sprachkurse.

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