Hitachi Energy AG
Baden-Daettwil, Aargau, Switzerland
Praktikum im Bereich Zuverlässigkeitstests für SiC-basierte Leistungshalbleiter 80 - 100 % (m/w/d)
- 04 August 2026
- 80 – 100%
- Baden-Daettwil, Aargau, Switzerland
Job-Zusammenfassung
Werde Teil eines innovativen Teams im Bereich Leistungselektronik. Unterstütze uns bei der Entwicklung eines Testaufbaus.
Aufgaben
- Durchführung von Messkampagnen und Datenanalysen.
- Optimierung eines Halbbrückenwandlers für Tests von SiC MOSFETs.
- Dokumentation und Kommunikation der entwickelten Lösungen.
Fähigkeiten
- Masterstudium in Elektronik, Materialwissenschaft oder Physik erforderlich.
- Erfahrung mit elektrischen Messsystemen und Halbleiterphysik.
- Kenntnisse in LabView und Programmiersprachen wie Python.
Ist das hilfreich?
Über den Job
Die Gelegenheit
Die Energielandschaft entwickelt sich rasant weiter und erfordert zunehmend komplexe und zuverlässige Stromverteilungssysteme. Die wachsende Integration erneuerbarer Energiequellen und Umrichter-Schnittstellen bringt neue Herausforderungen für Übertragungs- und Verteilnetzbetreiber mit sich. Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter haben sich erheblich weiterentwickelt und bieten überlegene elektrische Leistungen, was sie für Anwendungen in der Leistungselektronik besonders attraktiv macht. Dennoch müssen Herausforderungen im Zusammenhang mit der Zuverlässigkeit des Gate-Stacks von SiC-MOSFETs noch bewältigt werden, um deren breite Anwendung zu ermöglichen. Das Forschungsteam für Halbleiterverpackung und Zuverlässigkeitstechnik sucht einen Praktikanten zur Unterstützung bei der Entwicklung eines innovativen Testaufbaus für Zuverlässigkeitsuntersuchungen. Der Aufbau zielt auf die Stabilität der Schwellenspannung von SiC-MOSFETs unter umfangreichem Zyklisieren und beschleunigten Alterungsbedingungen ab. Der erfolgreiche Kandidat wird ein Echtzeitsystem zur Überwachung der Gerätealterung entwickeln und betreiben. Die Experimente werden an einem Doppelimpulstester mit einer Halbbrücken-Evaluationsplatine durchgeführt, die für 3,3 kV und 150 A ausgelegt ist. Die Praktikumsdauer beträgt sechs Monate.
Wie Sie einen Beitrag leisten
Durchführung von Messkampagnen und Datenanalysen basierend auf den neuesten in der Literatur verfügbaren Modellen
Vorschlag innovativer Lösungen zur Gewinnung weiterer Erkenntnisse aus den experimentellen Tests: Erstellung von Sensorarrays-Prototypen und automatisierter Datenerfassungssoftware
Optimierung eines Halbbrücken-Umrichters für Langzeit-Dynamiktests von SiC-MOSFETs
Aufrüstung der Testelektronik und der Datenerfassungssoftware, die für hochpräzise Messungen über längere Testzeiten erforderlich sind
Dokumentation und Kommunikation der entwickelten Lösungen, um das gewonnene Wissen innerhalb des Forschungsteams, akademischer Partner und der zuständigen Geschäftseinheit zu verbreiten
Ihr Hintergrund
Derzeitiges Masterstudium in Elektronikingenieurwesen, Materialwissenschaften, Physik oder einem verwandten Fachgebiet (offizielle Immatrikulation ist erforderlich)
Vertrautheit mit elektrischen Messaufbauten sowie mit dem Entwurf und Bau von elektronischen Systemen. Vorerfahrungen mit Halbleiterphysik und/oder Leistungshalbleitern sind ein grosser Vorteil
Erfahrung mit LabView-Programmierung und Kenntnisse in Programmiersprachen (z. B. Python, C, Matlab)
Flüssige Englischkenntnisse in Wort und Schrift
Gute Kommunikations- und technische Schreibfähigkeiten
Kreativ und fähig, selbstständig zu arbeiten
Mehr über uns
Wir sind ein technologiegetriebenes Unternehmen mit starkem Fokus auf Innovation, kontinuierliche Verbesserung und nachhaltige Fertigung. Wir bieten flexible Arbeitsbedingungen, engagierte Betreuung und ein unterstützendes, inklusives Umfeld, in dem Sie persönlich und beruflich wachsen können – und das Sie befähigt, erfolgreich zu sein und dabei Arbeit und Leben in Einklang zu bringen.