Ingénieur Électronique Capteurs en Silicium R&D (EP-ATL-TRK-2026-117-GRAP)

Description du poste

Les environnements de suivi dense dans les expériences au LHC à haute luminosité du CERN et les futures expériences FCC nécessitent une utilisation accrue des informations temporelles en plus des mesures de position fournies par les détecteurs à pixels. Cela ajoute une dimension supplémentaire à l'information disponible et est essentiel pour atténuer les effets de recouvrement à haute luminosité. Le projet CASSIA (CMOS Active SenSor with Internal Amplification) vise à développer des capteurs à pixels actifs monolithiques (MAPS) avec gain de signal interne et faible bruit dans un procédé CMOS d'imagerie largement utilisé, ciblant un large éventail d'applications.

Vos responsabilités

• Assembler et tester des prototypes de capteurs CASSIA sur des circuits imprimés (PCB).
• Soutenir et améliorer les mesures de signal lors des mesures en laboratoire, irradiations et faisceaux tests.
• Analyser CASSIA2 pour une collecte optimale du signal et une résolution temporelle.
• Étudier la résistance aux radiations et l'évolution du gain en fonction de l'irradiation.
• Tester les circuits amplificateurs sur puce de CASSIA2 par rapport à la simulation de circuit, caractériser la performance du circuit front-end (FE) pour la résolution temporelle et le rapport signal sur bruit (SNR).
• Améliorer la conception des circuits CASSIA2 pour une résolution temporelle optimale en mode LGAD et SPAD.
• Développer des concepts pour l'intégration des conceptions de pixels CASSIA dans des circuits de lecture asynchrone en matrices (études CASSIA3).
• Conception et mise en œuvre de circuits, vérification de conception, simulations pré/post-layout pour des conceptions de pixels optimisées et circuits FE pour grandes matrices.
• Collaborer étroitement avec des ingénieurs, physiciens et techniciens au sein d'une équipe pluridisciplinaire.

Votre profil

• Expérience dans l'assemblage, le test et la caractérisation de modules détecteurs en silicium ou systèmes similaires.
• Expérience pratique avec l'instrumentation de laboratoire telle que stations de sondes, installations de test laser, installations de test faisceau.
• Capacité à concevoir des PCB pour ASICs/capteurs dans le cadre du système de test.
• Capacité à effectuer des mesures électroniques pour caractériser des circuits analogiques et numériques sur puce.
• Expérience dans l'automatisation des procédures de laboratoire et l'acquisition de données.
• Expérience avec les outils utilisés pour la conception, l'intégration et la vérification d'ASICs/capteurs CMOS.
• Familiarité avec l'analyse de données, la simulation de circuits et le débogage électronique.
• Expérience de travail dans de grandes collaborations de recherche internationales et contribution à des infrastructures communes ou installations partagées.
• Capacité démontrée à planifier, prioriser et livrer des résultats dans des délais serrés.

Compétences

• Connaissance des capteurs CMOS monolithiques, MAPS, détecteurs à pixels en silicium pour expériences de physique des hautes énergies.
• Expérience dans le test de capteurs en silicium et équipements de laboratoire requis.
• Expérience en simulation et caractérisation de circuits.
• Expérience professionnelle en conception ASIC et/ou capteurs CMOS et utilisation d'outils industriels pour la conception, la mise en œuvre et la vérification.
• Approche organisée, précise et autonome du travail.
• Capacité à travailler efficacement dans des équipes pluridisciplinaires et des collaborations internationales.
• Anglais parlé et écrit, avec engagement à apprendre le français.

Critères d'éligibilité :

• Vous êtes ressortissant d'un État membre ou État membre associé du CERN .
• Vous avez une formation professionnelle en électronique ou physique (ou domaine connexe) et avez soit :
  • un master avec 2 à 6 ans d'expérience professionnelle post-diplôme ;
  • ou un doctorat avec pas plus de 3 ans d'expérience professionnelle post-diplôme.
• Vous n'avez jamais eu de contrat de boursier ou de diplômé au CERN auparavant.

Informations complémentaires

Date de clôture des candidatures : 15.07.2026 à 23h59 CEST.

Durée du contrat : 24 mois, avec une possible extension jusqu'à 36 mois maximum.

Heures de travail : 40 heures par semaine

Flexibilité du poste : Entièrement sur site

Date de début prévue : 01 septembre 2026

Ce poste implique :

• Travail en zones à radiation.
• Travail de nuit, les dimanches et jours fériés officiels, selon les besoins de l'Organisation.

Référence du poste : EP-ATL-TRK-2026-117-GRAP

Domaine de travail : Physique expérimentale

Emploi de référence : 200050 - Ingénieur Électronique

Avantages globaux

• Une allocation mensuelle entre 6372 et 7004 francs suisses par mois (exonérée d'impôts) selon votre diplôme.
• 30 jours de congés payés par an plus 2 semaines de fermeture annuelle.
• Couverture par le régime complet d'assurance santé du CERN (pour vous, votre conjoint et vos enfants), et adhésion au Fonds de pension du CERN.
• Allocations familiales, enfant et nourrisson mensuelles selon votre situation individuelle.
• Un package de relocalisation (prime d'installation et frais de voyage) selon votre situation individuelle.
• Possibilité de prolonger votre contrat jusqu'à 36 mois.
• Formation en cours d'emploi et formation formelle incluant des cours de langue.

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